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干法清洗：對于已經(jīng)氫還原的MCP,因為二次電子發(fā)射層已經(jīng)形成,如果采用化學(xué)清洗或濕法清洗容易造成對MCP電性能的破壞,并可能產(chǎn)生清洗介質(zhì)對MCP的再次污染。因此氫還原后的MCP,一般選用干法清洗,主要包括等離子清洗、輝光放電、紫外清洗等清洗技術(shù)。清洗流程的操作規(guī)范：(1)用丙酮(ACE)、異丙醇(IPA)、去離子(DI)水依次進行超聲清洗超聲設(shè)備內(nèi)槽、燒杯、花籃、卡塞及樣品盒；(2)在二個超聲設(shè)備的內(nèi)槽分布倒入2000-4000ml的丙酮和異丙醇溶液，具體的溶液體積由內(nèi)槽的容積來定，溶液水平面在花籃上平面以上；在一個燒杯中倒入2000ml丙酮溶液；記錄溶液更換日期，按每2000ml溶液清洗250片晶片的要求規(guī)劃溶液的清洗次數(shù)；(3)將晶片用花籃盛放并將其置于丙酮的內(nèi)槽中，設(shè)置超聲的溫度60°C，并計時超聲清洗晶片10分鐘，用蓋將內(nèi)槽封閉，并記錄溶液累計使用片數(shù)；(4)將放有晶片的花籃取出沖水5分鐘；(5)將花籃置于異丙醇中,設(shè)置溶液溫度60°C，記時超聲清洗晶片10分鐘，用蓋將內(nèi)槽封閉，記錄溶液累計使用片數(shù)；(5)將放有晶片的花籃取出沖水5分鐘；(6)將放有晶片的花籃置于已配制好的硫酸和雙氧水(共1200ml,H2SO4:H2O2=3:1)溶液中，計時10分鐘，并記錄溶液使用累計片數(shù)；保持溶液的溫度為90°C。如果溶液不是新配溶液，需向溶液中按溶液的1/3加入雙氧水溶液；(7)將放有晶片的花籃取出沖水5分鐘；(8)將晶片從花籃中取出,放置到特制的卡塞中，將放有晶片的卡塞置于兆聲波設(shè)備內(nèi)槽中，在60°C兆聲清洗10分鐘；(9)將放有晶片的卡塞取出沖水10分鐘；(10)將放有晶片的卡塞放入甩干機中，烘干。超聲清洗：對不同材料及孔徑的MCP應(yīng)采用頻率、聲強可調(diào)的超聲波進行實驗,以確定實際工藝參數(shù)。對孔徑6~12μmMCP的清洗,當媒液為水和乙醇時,可采用空化閾約1/3W/cm2,聲強10~20W/cm2,頻率20~120kHz的超聲波進行清洗。
