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濕法清洗：濕法清洗采用液體化學(xué)溶劑和DI水氧化、蝕刻和溶解晶片表面污染物、有機(jī)物及金屬離子污染。通常采用的濕法清洗有RCA清洗法、稀釋化學(xué)法、IMEC清洗法、單晶片清洗等。晶圓清洗是半導(dǎo)體制造典型工序中常應(yīng)用的加工步驟。就硅來說，清洗操作的化學(xué)制品和工具已非常成熟，有多年廣泛深入的研究以及重要的工業(yè)設(shè)備的支持。所以，硅清洗技術(shù)在所有具實(shí)際重要性的半導(dǎo)體技術(shù)中是為成熟的。第*一個(gè)完整的、基于科學(xué)意義上的清洗程序在1970年就提出了，這是專門設(shè)計(jì)用于清除Si表面的微粒、金屬和有機(jī)污染物。在批次清洗工藝還是在單晶圓清洗工藝中，傳統(tǒng)的浸沒清洗仍起主導(dǎo)作用。在單晶圓清洗工藝時(shí)，這一趨勢(shì)由于太陽(yáng)電池清洗技術(shù)的需求而強(qiáng)化。該技術(shù)中，由于被加工襯底的剪切數(shù)目(shearnumber)，可選用批次加工方法。可以使選擇氣相清洗化學(xué)過程與批次加工兼容。但同時(shí)，單晶圓清洗方法（如旋轉(zhuǎn)清洗）正推進(jìn)到高端應(yīng)用領(lǐng)域。
