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表面清洗正成為此類半導(dǎo)體加工中不斷出現(xiàn)的問題。這是因?yàn)橐r底晶體的低劣質(zhì)量（而不是其表面潔凈度）不再是限定與那些材料有關(guān)的制造良率的主導(dǎo)因素。隨著各種半導(dǎo)體材料襯底單晶質(zhì)量的提高，考慮因素就會(huì)變化，會(huì)對(duì)清洗技術(shù)給予更加密切的關(guān)注。MEMS制造的特點(diǎn)是，它含有3D精細(xì)圖形的深刻蝕，并要求橫向深刻蝕埋層氧化物的釋放加工工藝。用常規(guī)的濕法刻蝕和清洗技術(shù)是不能完成從這種非常緊密的幾何圖形除去可能的刻蝕殘留物，并確保懸臂梁和膜片的無靜摩擦操作的。已經(jīng)研究用無水HF/甲醇（AHF/MeOH））犧牲層氧化物刻蝕工藝作為后者的可行解決方法。半導(dǎo)體清洗機(jī)設(shè)備生產(chǎn)線用于PICOAT前清洗設(shè)備，描述了LCD生產(chǎn)線（以CSTN為主）上使用的PICOAT清洗設(shè)備的主要清洗藝流程及設(shè)備的主要組成部分，包括清洗、漂洗、氣刀、風(fēng)干、IR、UV清洗干燥、CP降溫、冷卻干燥等。
