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半導(dǎo)體清洗機(jī)濕式清洗制程中，主要應(yīng)用項(xiàng)目包含晶圓清洗與濕式蝕刻兩項(xiàng)，晶圓(濕式)清洗制程主要是希望藉由化學(xué)藥品與清洗設(shè)備，清除來自周遭環(huán)境所附著在晶圓表面的臟污，以達(dá)到半導(dǎo)體組件電氣特性的要求與度。清洗安全操作規(guī)范：(1)有機(jī)廢液和無機(jī)廢液要回收嚴(yán)格分開，放入不同密封箱里；(2)丙酮、異丙醇和去膠液的溫度已經(jīng)固定，不得隨意更改。如確有需要，向領(lǐng)班匯報(bào)，等待上級(jí)批準(zhǔn)；(3)硫酸和雙氧水混合溶液一定要等到冷卻到30°C以下才能回收；(4)溶液配制或回收時(shí)，濺到操作臺(tái)上的溶液一定要用水沖干凈，再用氮?dú)?槍吹干，保持工作臺(tái)的清潔、干凈。在半導(dǎo)體濕式清洗制程中，晶圓(濕式)清洗制程主要是希望藉由化學(xué)藥品與清洗設(shè)備，清除來自周遭環(huán)境所附著在晶圓表面的臟污，以達(dá)到半導(dǎo)體組件電氣特性的要求與度。過去RCA多槽濕式清洗一直是晶圓清洗的主要技術(shù)，不過隨著近年來制程與清洗設(shè)備的演進(jìn)，不但在清洗制程中不斷產(chǎn)生新的技術(shù)，也隨著半導(dǎo)體后段封裝技術(shù)的演進(jìn)，清洗設(shè)備也逐漸進(jìn)入封裝廠的生產(chǎn)線中。
