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離子束系統可以實現：

※穩定的膜層沉積速率；化學成分穩定
※離子束刻蝕以及反應離子束刻蝕，可以實現優秀的刻蝕均勻性
※多種可選項，以適應不同應用要求：多種離子源可選；多種 工裝夾具可選；多種鍍膜控制方式可選；剩余氣體分析；自動化控制方式可選

離子束濺射的優點：

※ 成膜粒子動能大，因此，膜層致密性好，針眼少，對環境穩定

※ 成膜真空度高（10-4TORR），因此，膜層純度高

※ 可以提供工件預處理以提高膜層附著力

※ 獨立控制離子能量和離子束流，可以提供更大的工藝靈活性，控制成膜組分，應力，圍觀結構等

※ 穩定的沉淀速率，突出的膜層厚度控制和穩定的成膜均勻性

※ 完全的自動化控制-精確地工藝控制

傾斜式單旋轉工件盤：

※ 直徑六英寸或八英寸的工件盤可選

※ 水冷型

※ 突出的沉積和刻蝕均勻性

※ 傾斜式

可以通過調整傾斜角度得到工藝要求的臺階覆蓋率

可以通過調節調節傾斜角度進一步提高均勻性

傾斜行星式工件盤：

※ 三個直徑六英寸的水冷型行星盤

※ 采用行星式工件盤以得到更好的均勻性

※ 突出的沉淀和刻蝕均勻性

※ 傾斜式

離子束濺射沉積源：

※ 多種型號射頻或直流離子源可選

※ 射頻（3cm,6cm）

最適合濺射工藝

污染小（無燈絲）

非常適合濺射介質材料，可以用于濺射金屬

維護間隔時間超過200小時

※ 直流（3cm,5cm,8cm）

最適合非反應濺射工藝

多種配置可供選擇

燈絲型：性價比高

等離子體橋狀中和器：增強反應濺射工藝能力和最小維護時間間隔在25-45小時

空心陰極中和器：減小污染，維護間隔時間長達150小時

非常適合濺射金屬，可以用于濺射介質材料

離子源柵極選項：

※ 材質：

石墨：適合無反應工藝

鉬：適合大多數反應工藝

※ 柵網結構：聚焦型離子源

※ 發散型輔助或者預清洗源

※ 采用三柵網結構可以使濺射工藝更加穩定

※ 四柵網結構

靶材夾具：

※ 當配置用于濺射時，配置水冷型四靶材夾具。可以裝最多四個直徑5英寸的靶材。

泵選項：

※ 機械泵：油泵/干泵

※ 高真空泵：CTI低溫冷凝泵/渦輪分子泵

終點控制：

※ 濺射工藝：

時間控制：通常用于簡單沉積工藝，少于20層；

石英晶體膜厚控制儀：MAXTEK260/360C，石英晶體失效情況下，采用時間控制

系統技術規格：

· ※當配置為離子束沉積時，最多可以安裝四個直徑5英寸靶材

· ※提供單旋轉傾斜式工裝夾具，工件尺寸6英寸或8英寸，帶水冷；

· ※為獲得更好的均勻性，提供行星式傾斜式工裝夾具，三個6英寸行星工件盤，帶水冷；

· ※可以沉積無漂移光學薄膜；

· ※可以在低于10-4 torr的真空度下沉積，提高成膜純度；

· ※配置雙離子源時，可以實現基片預清洗，提高膜層附著力；

· ※全自動成膜工藝控制；

· ※多種Veeco公司射頻或直流離子源可供選擇；

· ※高真空低溫泵或渦輪分子泵可選；

· ※對于離子束沉積，成膜厚度控制可以采用時間控制或石英晶體膜厚控制儀控制；

   ※離子束沉淀適合材料：

     介質材料：SiO2,Ta2O5,Al2O3,TiO2,Si3N4等

     金屬材料：W, Au, Cu, Pt, NiFe, CrCo,Si等

   ※IBE和RIBE適用材料：

     介質材料：Si, SiO2, Al2O3, Polyimide等

     金屬材料：NiFe, Cu, Au, Al.