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深圳眾誠達應用材料科技有限公司生產銷售磁控濺射用的靶材，應用于磁控濺射技術領域，在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 深圳眾誠達應用材料科技有限公司生產銷售的靶材應用于微電子領域。在所有應用產業中，半導體產業對靶材濺射薄膜的品質要求是苛刻的。如今12英寸 （3 0 0衄 口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。硅 片制造商對靶材的要求是大尺寸、度、低偏析和細晶粒， 這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構。靶材的結晶粒子直徑和均勻性 已被認為是影響薄膜沉 積率的關鍵因素。另外，薄膜的度與靶材的度關系極大，過去99.995 %（4 N5） 度的銅靶，或許能夠滿 足半導體廠商0.3 5pm 工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.2 5um的工藝要求， 而未米的 0.18um }藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材度將要求達 到5甚至 6N以上。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更 低的電阻率，能夠滿足！導體工藝在0 .25um 以下 的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質材料的附著強度低．并且容易發生反應，導 致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。為了解決以上這些問題，需要在銅與介質層之間設置阻擋 層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50n m，與銅及介質材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層 材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻 擋層用靶材包括 T a 、W、T a S i 、WS i 等．但是T a 、W 都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
