低損耗射頻電容的優點:
在所有射頻電路設計中，選用低損耗（超低ESR）片狀電容都是一項重要考慮。以下是幾種應用中低損耗電容的優點。在手持便攜式發射設備的末級功率放大器內使用低損耗電容作場效應晶體管源極旁路和漏極耦合，可以延長電池壽命。ESR高的電容增加I2ESR損耗，浪費電池能量。
使用低損耗電容產品使射頻功率放大器更容易提高功率輸出和和效率。例如，用低損射頻片狀電容作耦合，可以實現最大的放大器功率輸出和效率。對于目前的射頻半導體設備， 例如便攜手持設備的單片微波集成電路，尤其是如此。許多這種設備的輸入阻抗極低，因此輸入匹配電路中電容的ESR損耗在全部網絡的阻抗中占了很大的百分比。如果設備輸入阻抗是1歐姆而電容ESR是0.8歐姆，約40％的功率將由于ESR損耗而被電容消耗掉。這將減低效率和輸出功率。
高射頻功率應用也需要低損耗電容,這方面的典型應用是要使一個高射頻功率放大器和動態阻抗相匹配。例如半導體等離子爐需要高射頻功率匹配，設計匹配網絡時使用了電容。負載從接近零的低阻抗大幅度擺動到接近開路，導致匹配網絡中產生大電流，使電容負荷劇增。這種情況使用超低損耗電容，例如ATC的100系列陶瓷電容，最為理想。
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