ENX2020  雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)

概述

向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí)，電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減，此時(shí)元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時(shí)的抗擊穿性。對(duì)于那些在元件兩端產(chǎn)生較大尖峰電壓的應(yīng)用場(chǎng)合，就要考慮器件的雪崩能量，電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對(duì)于反激的應(yīng)用場(chǎng)合，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會(huì)降額，從而留有足夠的電壓余量，但是一些電源在輸出短路時(shí)，初級(jí)會(huì)產(chǎn)生較大的電流，加上初級(jí)電感，器件就會(huì)有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載，而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生極高的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。

ENX2020雪崩耐量測(cè)試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測(cè)試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

西安易恩電氣ENX2020  雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)，該設(shè)備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測(cè)試端口（根據(jù)客戶需求）等多個(gè)部分。

規(guī)格/環(huán)境要求

電壓頻率：50Hz±1Hz

環(huán)境溫度：15～40℃

工作濕度：溫度不高于+30℃時(shí)，相對(duì)濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時(shí)相對(duì)濕度5%-45%，無冷凝。

大氣壓力： 86Kpa～106Kpa

海拔高度：不超過3000米。

尺    寸：800x800x1800mm

質(zhì)    量：210KG

工作電壓：AC220V±10%無嚴(yán)重諧波

系統(tǒng)功耗：320W

通信接口：USB RS232

技術(shù)指標(biāo)

配置 測(cè)試范圍 測(cè)試參數(shù) 條件 范圍

電壓

1000V IGBTs

絕緣柵雙極型晶體管 EAS/單脈沖雪崩能量 VCE 20V-4500V 20-100V±3%±1V

100-1000V±3%±5V

1000-4500V±3%±10V

電流

200A MOSFETs

MOS場(chǎng)效應(yīng)管 EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量 Ic 1mA-200A 1mA-100mA±3%±0.1mA

100mA-2A±3%±5mA

2A-200A±3%±50mA

DIODEs

二極管 IAS/單脈沖雪崩電流 Ea 1J-2000J 1J-100J±3%±1J

100J-500J±3%±5J

500J-2000J±3%±10J

PAS/單脈沖雪崩功率 IC檢測(cè) 50mV/A（取決于傳感器）

感性負(fù)載 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

重復(fù)間隙時(shí)間 1-60s可調(diào)（步進(jìn)1s）重復(fù)次數(shù)：1-50次