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否
加工定制
否
品牌
深圳市福昌精密磨料
類型
其他
規格
50KG
材質
拋光液
適用范圍
表面處理
系列
蟲鳴
型號
拋光液
拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，具有良好的去油污，防銹，清洗和增光性能，并能使金屬制品超過原有的光澤。本產品性能穩定、無毒，對環境無污染等作用，光液使用方法：包括棘輪扳手、開口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺絲刀等，鉛錫合金、鋅合金等金屬產品經過研磨以后，再使用拋光劑配合振動研磨光飾機，滾桶式研磨光式機進行拋光；1拋光劑投放量為（根據不同產品的大小，光飾機的大小和各公司的產品光亮度要求進行適當配置），2：拋光時間：根據產品的狀態來定。3、拋光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。
英文名
polishing slurry
拋光液
CMP（Chemical Mechanical Polishing）
化學機械拋光
這兩個概念主要出現在半導體加工過程中，初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢：單的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，完美性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為完美的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是目前能夠實現全局平面化的有效方法。
制作步驟
依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：
（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。
（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。
硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。
2產品類型
硅材料
拋光液
藍寶石
拋光液
砷化鎵
拋光液
鈮酸鋰
拋光液
鍺拋光液
集成電路多次銅布線拋光液
集成電路阻擋層拋光液
應用
1. LED行業
目前LED芯片主要采用的襯底材料是藍寶石，在加工過程中需要對其進行減薄和拋光。藍寶石的硬度極高，普通磨料難以對其進行加工。在用金剛石研磨液對藍寶石襯底表面進行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現了藍寶石表面的精密拋光。隨著LED行業的快速發展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。
2.半導體行業
CMP技術還廣泛的應用于集成電路(IC)和超大規模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業的急速發展，對拋光技術提出了新的要求，傳統的拋光技術（如：基于淀積技術的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術解決了這個問題，它是目前的可以在整個硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術。
3參考配方
組分 | 投料量（g/L） |
硫酸 | 350~400 |
硝酸 | 30~50 |
雙氧水 | 30~100 |
鹽酸 | 40~80 |
乙酸 | 20~50 |
2-巰基噻唑啉 | 1~3 |
硫酸銅 | 1~10 |
壬基酚聚氧乙烯醚 | 5~10 |
有機硅消泡劑 | 1~3 |
水 | 余量 |
4上市產品
硅材料拋光液、藍寶石拋光液、砷化鎵拋光液、鈮酸鋰拋光液、鍺拋光液、集成電路多次銅布線拋光液、集成電路阻擋層拋光液、研磨拋光液、電解拋光液、不銹鋼電化學拋光液,不銹鋼拋光液、石材專用納米拋光液、氧化鋁拋光液、銅化學拋光液、鋁合金拋光液、鏡面拋光液、銅拋光液、玻璃研磨液、藍寶石研磨液、酸
5分類
拋光液的主要產品可以按主要成分的不同分為以下幾大類：金剛石拋[1]光液（多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液）、氧化硅拋光液[2]（即CMP拋光液）、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類。
多晶金剛石拋光液
多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質產生劃傷。
主要應用于藍寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。
氧化硅拋光液
氧化硅拋光液（CMP拋光液）是以硅粉為原料，經特殊工藝生產的一種度低金屬離子型拋光產品。
廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學器件、藍寶石片等的拋光加工。
氧化鈰拋光液
氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細、粒度分布均勻、硬度適中等特點。
適用于高精密光學儀器，光學鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。
氧化鋁和碳化硅拋光液
是以超細氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。
主要用于高精密光學儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。
6行業概況
供求關系是一個行業能否快速發展的前提。目前來看，市場需求是很大的，而供應方面卻略顯不足，尤其是擁有核心知識產權，產品質量過硬的企業并不多，行業整體缺乏品牌效應。在需求旺盛的階段，行業需求巨大，發展前景好，這是毋庸置疑的。但保持行業的健康，穩定且可持續發展，呼吁業內企業共同努力，尤其需要發揮吃毛求疵的研發精神，進一步提高生產工藝，降低成本，真正解決客戶的實際困難，嚴把質量關，提供的產品。[1]
參考資料
