氧化鋅(ZnO)是很好的GaN薄膜襯底材料,具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發光材料.同時由于具有可見區透明,機電耦合系數大,能使氣體分子在其表面的吸附-解析等性質,有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑量的GaN的襯底、未來的5GHz之外的無線通信、高電場設備、高溫高能電子器件、高電場設備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應用
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