開關(guān)電源與模塊電源在工作原理上的區(qū)別模塊電源是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應(yīng)器，它的特點是可為專用集成電路（ASIC）、數(shù)字信號處理器(DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)及其他數(shù)字或模擬負(fù)載提供供電。從現(xiàn)實情況來說，這種模塊稱為負(fù)載點(POL)電源供應(yīng)系統(tǒng)或者使用點電源供應(yīng)系統(tǒng)(PUPS)。由于模塊式結(jié)構(gòu)的優(yōu)點很多，因此模塊電源廣泛用于交換設(shè)備、接入設(shè)備、移動通訊、微波通訊以及光傳輸、路由器等通信領(lǐng)域和汽車電子、航空航天等。開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制IC和MOSFET構(gòu)成。開關(guān)電源產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化控制、設(shè)備、科研設(shè)備、LED照明、工控設(shè)備、通訊設(shè)備、電力設(shè)備、儀器儀表、醫(yī)療設(shè)備、半導(dǎo)體制冷制熱等領(lǐng)域。開關(guān)電源與模塊電源在特點上的區(qū)別：模塊電源從字面意思理解的特點是標(biāo)準(zhǔn)模塊化的電源,主要是模塊化后體積緊湊感小,又很方便使用，模塊電源的特點：1、首先在外觀上是體積小,將所有功能封閉在一個模塊化產(chǎn)品中；2、模塊化的電源便于更換,同時有一些產(chǎn)品還可以進(jìn)行冗余供電；3、灌膠模塊電源還有防潮、抗震、阻燃等特點；模塊電源的功能有很多,但多數(shù)的電源都是采用開關(guān)電源設(shè)計,目的是為了體積縮小及重量減輕。所以在表面上與普通電源相差不大,要說不同，那么就是在功能上來說，功率密度會高一些。缺點就是設(shè)計的成本會比較高一些。開關(guān)電源的特點不在熬述，不了解的請關(guān)注下方的相關(guān)文章推薦。本文通過開關(guān)電源和模塊電源在定義上、用途上、組成上、工作原理上、特點上等幾個方面簡單描述了兩者之間有樣的區(qū)別。模塊電源本是開關(guān)電源的組成的一部分，我們一般所說的開關(guān)電源基本是AC/DC的，而對于模塊電源來說是DC/DC，兩者之間的輸入電壓是不一樣的，所以暫不存在通用的說法。本文只是個人根據(jù)網(wǎng)上總結(jié)的一些觀點，如有不對也請多多指教。開關(guān)電源中的散熱器，主要用于三個地方：整流橋，主MOSFET，次級整流二極管。主要又有以下幾個地：原邊地，次級地。他們的作用是提供各自的參考零點。還有一個真正的大地PE。保護(hù)作用，兼有EMC作用。原邊地，副邊地是嚴(yán)格隔離的。不可以有任何電氣上的連接。他們都能夠與大地PE相連，但是，要加Y2。所有散熱器，可以有四種方法置于系統(tǒng)之中：1.floating，也就是浮地。2.各自的參考零點，比如原邊地或者副邊地3.真正大地，也就是PE，輸入時候的黃綠線4.有一種特殊情況，主MOSFET接漏極，即整流后的高壓端。還有接源極的，即S端。開關(guān)電源選擇沃爾電子漏感尖峰由于實際變壓器都存在漏感，在MOS管關(guān)斷后，存在漏感中的能量不能傳送到次級，因此必然會尋找一個放電通道，初級的RCD吸收就是為此而設(shè)。如果沒有吸收，從理論上來說，會在MOS的D級對地形成一個無限高的尖峰（當(dāng)然，實際電路都會存在分布的電容，這個尖峰不會有無限高），因此足夠的吸收是相當(dāng)重要的。一般來說，增大吸收電容，減小吸收電阻，都會有效果，但還要綜合考效率，吸收電阻的體積等問題，有時侯，單從吸收電路下手并不能滿足MOS電應(yīng)力的要求。四、除了更改吸收電路外，還有其它的幾種方案可供參考：1.RCD吸收中的D（二極管),使用所謂的慢管（即慢恢復(fù)二極管），可以從一定程度上降低感應(yīng)出來的尖峰。更換D后，要重新測量D的溫升。2.由于電應(yīng)力超標(biāo)一般都發(fā)生在異常狀態(tài)下，此時的占空比一般是處于失控狀態(tài)，所以此時的初級峰值電流也是比較大的。峰值電流的增大則意味著漏感中存貯的能量增大，MOS關(guān)斷時，尖峰自然也會變大。因此控制峰值電流對抑制尖峰作用是比較明顯的。控制峰值電流的措施一般有：a.控制異常狀態(tài)時的占容比，這對于某些芯片是可行的（如TL3842等);b.增大初級sense電阻（初級取樣電阻）值，對于電流控制型的芯片，這個方法是有效的。其機(jī)理在于芯片是感知SENSE電阻上的電壓來關(guān)斷MOS的，電阻變大則能較早關(guān)斷MOS，防止電流沖地過高。但要兼顧輸出功率要求。c.增大初級電感量，機(jī)理和b類似;d.降低MOS的關(guān)斷速度，這一般可以從MOS驅(qū)動電路上下手，但同時也應(yīng)注意MOS的發(fā)熱量。另外，在初級增加電壓初償也是一個辦法，即從初級濾波電容上引電阻到芯片的電流檢測（Isense）腳，一定上程度也可以對降低MOS尖峰有效。上述各種方案措施的實施后，一定要對開關(guān)電源的其它指標(biāo)進(jìn)行確認(rèn)，以避免極端優(yōu)化一個參數(shù)，而引起其它參數(shù)惡化的現(xiàn)象。