漏感尖峰由于實際變壓器都存在漏感，在MOS管關斷后，存在漏感中的能量不能傳送到次級，因此必然會尋找一個放電通道，初級的RCD吸收就是為此而設。如果沒有吸收，從理論上來說，會在MOS的D級對地形成一個無限高的尖峰（當然，實際電路都會存在分布的電容，這個尖峰不會有無限高），因此足夠的吸收是相當重要的。一般來說，增大吸收電容，減小吸收電阻，都會有效果，但還要綜合考效率，吸收電阻的體積等問題，有時侯，單從吸收電路下手并不能滿足MOS電應力的要求。四、除了更改吸收電路外，還有其它的幾種方案可供參考：1.RCD吸收中的D（二極管),使用所謂的慢管（即慢恢復二極管），可以從一定程度上降低感應出來的尖峰。更換D后，要重新測量D的溫升。2.由于電應力超標一般都發生在異常狀態下，此時的占空比一般是處于失控狀態，所以此時的初級峰值電流也是比較大的。峰值電流的增大則意味著漏感中存貯的能量增大，MOS關斷時，尖峰自然也會變大。因此控制峰值電流對抑制尖峰作用是比較明顯的。控制峰值電流的措施一般有：a.控制異常狀態時的占容比，這對于某些芯片是可行的（如TL3842等);b.增大初級sense電阻（初級取樣電阻）值，對于電流控制型的芯片，這個方法是有效的。其機理在于芯片是感知SENSE電阻上的電壓來關斷MOS的，電阻變大則能較早關斷MOS，防止電流沖地過高。但要兼顧輸出功率要求。c.增大初級電感量，機理和b類似;d.降低MOS的關斷速度，這一般可以從MOS驅動電路上下手，但同時也應注意MOS的發熱量。另外，在初級增加電壓初償也是一個辦法，即從初級濾波電容上引電阻到芯片的電流檢測（Isense）腳，一定上程度也可以對降低MOS尖峰有效。上述各種方案措施的實施后，一定要對開關電源的其它指標進行確認，以避免極端優化一個參數，而引起其它參數惡化的現象。開關電源與模塊電源在工作原理上的區別模塊電源是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應器，它的特點是可為專用集成電路（ASIC）、數字信號處理器(DSP)、微處理器、存儲器、現場可編程門陣列(FPGA)及其他數字或模擬負載提供供電。從現實情況來說，這種模塊稱為負載點(POL)電源供應系統或者使用點電源供應系統(PUPS)。由于模塊式結構的優點很多，因此模塊電源廣泛用于交換設備、接入設備、移動通訊、微波通訊以及光傳輸、路由器等通信領域和汽車電子、航空航天等。開關電源是利用現代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈沖寬度調制（PWM）控制IC和MOSFET構成。開關電源產品廣泛應用于工業自動化控制、設備、科研設備、LED照明、工控設備、通訊設備、電力設備、儀器儀表、醫療設備、半導體制冷制熱等領域。開關電源與模塊電源在特點上的區別：模塊電源從字面意思理解的特點是標準模塊化的電源,主要是模塊化后體積緊湊感小,又很方便使用，模塊電源的特點：1、首先在外觀上是體積小,將所有功能封閉在一個模塊化產品中；2、模塊化的電源便于更換,同時有一些產品還可以進行冗余供電；3、灌膠模塊電源還有防潮、抗震、阻燃等特點；模塊電源的功能有很多,但多數的電源都是采用開關電源設計,目的是為了體積縮小及重量減輕。所以在表面上與普通電源相差不大,要說不同，那么就是在功能上來說，功率密度會高一些。缺點就是設計的成本會比較高一些。開關電源的特點不在熬述，不了解的請關注下方的相關文章推薦。本文通過開關電源和模塊電源在定義上、用途上、組成上、工作原理上、特點上等幾個方面簡單描述了兩者之間有樣的區別。模塊電源本是開關電源的組成的一部分，我們一般所說的開關電源基本是AC/DC的，而對于模塊電源來說是DC/DC，兩者之間的輸入電壓是不一樣的，所以暫不存在通用的說法。本文只是個人根據網上總結的一些觀點，如有不對也請多多指教。一、開關電源中變壓器的組成變壓器由鐵芯（或磁芯）和線圈組成，線圈有兩個或兩個以上的繞組，其中接電源的繞組叫初級線圈，其余的繞組叫次級線圈。它可以變換交流電壓、電流和阻抗。的鐵心變壓器由一個軟磁材料做成的鐵心及套在鐵心上的兩個匝數不等的線圈構成，如圖所示。二、開關電源中變壓器的原理變壓器是利用電磁感應原理制成的靜止用電器。當變壓器的原線圈接在交流電源上時，鐵心中便產生交變磁通，交變磁通用φ表示。原、副線圈中的φ是相同的，φ也是簡諧函數，表為φ=φmsinωt。由法拉第電磁感應定律可知，原、副線圈中的感應電動勢為e1=-N1dφ/dt、e2=-N2dφ/dt。式中N1、N2為原、副線圈的匝數。由圖可知U1=-e1，U2=e2（原線圈物理量用下角標1表示，副線圈物理量用下角標2表示），其復有效值為U1=-E1=jN1ωΦ、U2=E2=-jN2ωΦ，令k=N1/N2，稱變壓器的變比。由上式可得U1/U2=-N1/N2=-k，即變壓器原、副線圈電壓有效值之比，等于其匝數比而且原、副線圈電壓的位相差為π。