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74FCT374ATQ 原裝 IDT 2013 1000 SSOP
74FCT374TS 原裝 PI 2013 1000 7.2mm
74FCT374TSO 原裝 IDT 2013 1000 7.2mm
74FCT377CTQ 原裝 IDT 2013 1000 SSOP
74FCT3807 原裝 IDT 2013 1000 SOP-20
74FCT3807APY 原裝 TDT 2013 1790 SOP-20
74FCT3807AQ 原裝 IDT 2013 1000 SSOP
74FCT3807EPYI 原裝 IDT 2013 5000 SSOP20 但是，半導(dǎo)體業(yè)的前進(jìn)之路到了28nm之后，就發(fā)生了變化。當(dāng)工藝制程進(jìn)入22nm/20nm時(shí)，成本相比28nm不僅沒(méi)有下降，反而升高。原因是當(dāng)工藝尺寸縮小到22nm/20nm時(shí)，傳統(tǒng)的193nm光刻，包括使用浸液式、OPC等技術(shù)已經(jīng)無(wú)能為力，必須采用輔助的兩次圖形曝光技術(shù)（Doublepatterning，縮寫(xiě)為DP）。從原理上講，DP技術(shù)易于理解，甚至可以曝光3次、4次。但是這必將帶來(lái)兩大問(wèn)題：一個(gè)是光刻加掩模的成本迅速上升，另一個(gè)是工藝的循環(huán)周期延長(zhǎng)。所以業(yè)界心知肚明，在下一代光刻技術(shù)EUV尚未成熟之前，采用DP技術(shù)是不得已而為之的。
所以全球半導(dǎo)體業(yè)界在向14nm制程邁進(jìn)時(shí)，一方面采用DP技術(shù)，另一方面為了減少漏電流與功耗，采用新的FinFET結(jié)構(gòu)（注：英特爾在22nm制程時(shí)首先采用FinFET工藝）。
