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6ES7 416-3XR05-0AB0
SIMATIC S7-400，CPU 416-3 中央處理單元，帶： 11.2 MB 工作內(nèi)存， （5.6 MB代碼，5.6 MB數(shù)據(jù)）， 1個(gè)接口 MPI/DP 12 MBIT/S， ，2個(gè)接口 PROFIBUS DP， 3. IF IFM模塊，可插拔
一般信息
硬件產(chǎn)品狀態(tài) 04
固件版本 V5.3
附帶程序包的
工程系統(tǒng) 從附帶硬件更新的 STEP7 V5.3 SP2 起
RUN 模式下的 CiR 配置
CiR 同步時(shí)間，基本負(fù)載 100 ms
CiR 同步時(shí)間，每個(gè) E/A 從站的時(shí)間 10 μs
電源電壓
DC 24 V 否; 通過系統(tǒng)電壓進(jìn)行電壓供給
輸入電流
來自 CPU，較大值 400 型毫不相干（300 型非常明顯）
來自背板總線 DC 5 V，典型值 1.1 A
來自背板總線 DC 5 V，較大值 1.3 A
來自背板總線 DC 24 V，較大值 450 mA; 每個(gè) DP 接口 150 mA
來自 DC 5 V 接口，較大值 90 mA; 在每個(gè) DP 接口處
功率損失
功率損失，典型值 5.5 W
功率損失，較大值 6 W
存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器類型 RAM
工作存儲(chǔ)器
集成 11.2 Mbyte
集成（用于程序） 5.6 Mbyte
集成（用于數(shù)據(jù)） 5.6 Mbyte
可擴(kuò)展 否
裝載存儲(chǔ)器
可擴(kuò)展 FEPROM 是; 附帶存儲(chǔ)卡（閃存）
可擴(kuò)展 FEPROM，較大值 64 Mbyte
集成 RAM，較大值 1 Mbyte
可擴(kuò)展 RAM 是; 附帶存儲(chǔ)卡 (RAM)
可擴(kuò)展 RAM，較大值 64 Mbyte
緩沖
存在 是
帶電池 是; 所有數(shù)據(jù)
不帶電池 否
蓄電池
緩沖器電池
電池操作 不相關(guān)
緩沖器電流，典型值 125 μA; （至 40 °C）
緩沖器電流，較大值 550 μA
緩沖器時(shí)間，較大值 參見組件數(shù)據(jù)參考手冊(cè)，第 3.3 章
CPU 上的外部緩沖器電壓供電 DC 5 至 15 V
