應用領域
DC斬波器裝置
牽引和大功率變頻傳動
1SP0635V2M1-33 33 2BB0535T-33 www.hmelectron.com.cn 16 2SB315B-CM1200DC-34N 677
電力傳輸
HVIGBT性能特點 基板:有AlSiC和Cu兩種
額定電壓:1700V至6500V
額定電流:200A至2400A
絕緣電壓:4.0kVrms至10.2kVrms
N系列:CSTBTTM硅片工藝,進一步降低損耗,縮小模塊體積
H系列:平板型IGBT硅片工藝,性已得到業界公認
N系列B型:CSTBTTM硅片工藝,封裝可與H系列兼容
R系列:額定電流提升到1500A;封裝尺寸與 H 系列兼容;高短路魯棒性設計;運行溫度范圍由-40~125°C 擴大到-50~ 150° C;小存貯溫度由-40℃擴展到-55℃。
續流二極管:采用軟恢復特,良好的EMI性能。